DSW20T65P7-IGBT-EG1155充電機專用功率管
一、產品核心優勢:DSW20T65P7技術亮點
DSW20T65P7 IGBT是一款20A 650V高性能功率器件,采用第五代場截止型(Field Stop V)技術,具備超低導通損耗、高開關速度和優異溫度穩定性,專為EG1155數字充電器/機開發應用場景。
核心性能:
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電壓/電流:650V / 20A(Tc=25℃)
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低飽和壓降:Vce(sat)≤1.5V,減少系統能耗
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快速關斷:Eoff≤0.35mJ,提升能效
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寬溫度范圍:-40℃~+150℃,穩定運行
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緊湊封裝:TO-247,兼容常規散熱設計
二、典型應用場景與客戶案例
1. EG1155數字充電器
DSW20T65P7的低損耗與靜音設計,助力EG1155數字充電器能效提升15%,噪音降低至28dB,通過國家一級能效認證。
三、技術參數與選型對比(附PDF下載)
關鍵參數表:
參數 | 數值 |
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集電極-發射極電壓 | 650V |
連續集電極電流 | 20A (@Tc=25℃) |
峰值電流 | 40A |
開關損耗(Eon+Eoff) | ≤0.7mJ |
封裝形式 | TO-247 |
競品對比優勢:
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對比英飛凌IKW20N60T,DSW20T65P7 在導通損耗和供應穩定上更優,成本降低約20%。
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點擊下載:DSW20T65P7 規格書.pdf | IGBT家電應用指南.pdf
四、客戶評價與技術支持
某電源企業反饋:
“采用DSW20T65P7 后,開關電源功耗降低22%,且良率提升至99.8%,大幅降低生產成本。”
服務承諾:
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免費提供EMI優化方案與SPICE仿真模型
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24小時樣品送達(支持企業用戶認證)
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批量訂單1天快速響應
五、常見問題解答(FAQ)
Q1:該IGBT是否適用于高頻反激式電源?
答:支持最高65kHz開關頻率,適用于反激拓撲,若需更高頻需求,建議選用士蘭微SJ MOSFET系列。
Q2:如何避免模塊在高溫環境下失效?
答:推薦使用PCB銅箔散熱+強制風冷,確保殼溫≤125℃。官網提供《D-PAK封裝熱設計手冊》下載。
六、立即獲取免費樣品
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