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SVF4N150F-士蘭微-MOS管
品 牌：SILAN士蘭微
廠家型號：SVF4N150F
封 裝：TO-220F
數(shù)據(jù)手冊：下載文件
描 述:SVF4N150F是士蘭微的一款4A 1500V MOS管,昆山東森微電子有限公司為士蘭微一級代理,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVF4N150F，還可提供SVF4N150F應(yīng)用資料、免費樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持！詳情可致電垂詢.，常備SVF4N150F庫存.SVF4N150PF(P7)(F) N 溝道增強型高壓功率 MOS 場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM 平面高壓 VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源。
特 點:
廠家型號：SVF4N150F
封 裝：TO-220F
數(shù)據(jù)手冊：下載文件
描 述:SVF4N150F是士蘭微的一款4A 1500V MOS管,昆山東森微電子有限公司為士蘭微一級代理,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVF4N150F，還可提供SVF4N150F應(yīng)用資料、免費樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持！詳情可致電垂詢.，常備SVF4N150F庫存.SVF4N150PF(P7)(F) N 溝道增強型高壓功率 MOS 場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM 平面高壓 VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源。
特 點:
- 4A，1500V，Rds(on)(典型值)=5.0R@Vgs=10V
- 低柵極電荷量
- 低反向傳輸電容
- 開關(guān)速度快
- 提升了 dv/dt 能力
