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CS6N70A3D-G的高清照片

CS6N70A3D-G
CS6N70A3D-G是東森微的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝CS6N70A3D-G,還可提供CS6N70A3D-G應用資料、免費樣品及產品研發技術支持!詳情可致電垂詢.
元件型號:CS6N70A3D-G
元件品牌:東森微
全新原裝正品保障,質量是企業的生命!
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產品介紹

Silicon N-Channel Power MOSFET
CS6N70A3D-G
○R Huajing Discrete Devices

General Description:
CS6N70A3D-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs,
is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce
the conduction loss, improve switching performance and enhance
the avalanche energy. The transistor can be used in various power
switching circuit for systemminiaturization and higher efficiency.
The package form is TO-251, which accords with the RoHS standard.

CS6N70A3D Features:
* Fast Switching
* ESD Improved Capability
* Low Gate Charge (Typical Data:15.5nC)
* Low Reverse transfer capacitances(Typical:6pF)
* 100%Single Pulse avalanche energy Test

CS6N70A3D Applications:
Power switch circuit of adaptor and charger.

聯系方式

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手 機:15950933050
微信:15950933050
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